FET...............

موضوع: FET............... الأحد 26 أبريل 2009, 10:20 pm

Field-Effect Transistor: الميدان تأثير الترنزستور :
The function of Field Effect Transistors is similar to bipolar transistors (especially the type we will discuss here) but there are a few differences. وظيفة ميدانية الترنزستورات تأثير مماثل لالقطبين الترنزستورات (خاصة نوع سنناقش هنا) ولكن هناك بعض الخلافات. They have 3 terminals as shown below. 3 محطات طرفية لها كما هو مبين أدناه. Two general types of FETs are the 'N' channel and the 'P' channel MOSFETs. عامان من أنواع هي FETs 'ن' وقناة 'ف' قناة MOSFETs. Here we will only discuss the N channel. ونحن هنا لن تناقش قناة ن. Actually, in this section, we'll only be discussing the most commonly used enhancement mode N channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). في الواقع ، في هذا الباب ، إلا أننا سوف نناقش الأكثر شيوعا تعزيز أسلوب نون قناة MOSFET (أشباه الموصلات المعدنية أكسيد الميدانية تأثير الترنزستور). Its schematic symbol is below. التخطيطي عن الرمز أدناه. The arrows show how the LEGS of the actual transistor correspond to the schematic symbol. سهام كيف تظهر سيقان الفعلية الترانزستور تقابل الرمز التخطيطي.

مراقبة الحالية :
The control terminal is called the gate. مراقبة محطة تسمى البوابة. Remember that the base terminal of a bipolar transistor passes a small amount of current. تذكر أن محطات قاعدة الترانزستور ثنائي القطبية يمر كمية صغيرة من الحالية. The gate on the FET passes virtually no current when driven with DC When driving the gate with high frequency pulsed DC or AC there may be a small amount of current flow. بوابة على FET يكاد لا يمر حاليا عند تحركها مع العاصمة عندما يقود بوابة عالية التردد نبضية العاصمة أو التدقيق قد تكون هناك كمية صغيرة من تدفق التيار. The transistor's "turn on" (aka threshold) voltage varies from one FET to another but is approximately 3.3 volts with respect to the source. فإن الترانزستور "تشغيل" (المعروف أيضا باسم عتبة) الجهد FET تختلف من واحدة الى اخرى ولكن ما يقرب من 3.3 فولت فيما يتعلق المصدر.

When FETs are used in the audio output section of an amplifier, the Vgs (voltage from gate to source) is rarely higher than 3.5 volts. عندما FETs تستخدم في انتاج الجزء السمعي من مكبر للصوت ، Vgs (الجهد من بوابة (اف ب) نادرا ما يكون أعلى من 3.5 فولت. When FETs are used in switching power supplies, the Vgs is usually much higher (10 to 15 volts). عندما FETs تستخدم في تحويل التيار الكهربائي ، Vgs عادة ما يكون أعلى من ذلك بكثير (10 و 15 فولت). When the gate voltage is above approximately 5 volts, it becomes more efficient (which means less voltage drop across the FET and therefore less power dissipation). عند بوابة الجهد فوق حوالي 5 فولت ، ويصبح أكثر كفاءة (وهو ما يعني انخفاضا أقل الجهد عبر FET أقل ، وبالتالي تبدد الطاقة).

MOSFETS are commonly used because they are easier to drive in high current applications (such as the switching power supplies found in car audio amplifiers). MOSFETS الشائعة الاستخدام لأنها أسهل في القيادة الحالية لتطبيقات عالية (مثل تحويل امدادات الطاقة الموجودة في السيارة ومكبرات الصوت). If a bipolar transistor is used, a fraction of the collector/emitter current must flow through the base junction. إذا كان يستخدم الترانزستور ثنائي القطب ، وهو جزء يسير من جمع / باعث الحالي يجب أن تمر عبر قاعدة تقاطع. In high current situations where there is significant collector/emitter current, the base current may be significant. ارتفاع الحالي في الحالات التي يكون فيها وجود قدر كبير من هواة جمع / باعث الحالية ، القاعدة الحالية قد تكون كبيرة. FETs can be driven by very little current (compared to the bipolar transistors). FETs يمكن يقودها حاليا قليل جدا (مقارنة القطبين الترنزستورات). The only current that flows from the drive circuit is the current that flows due to the capacitance. الوحيد حاليا الذي يتدفق من الحملة الدائرة هو أن التدفقات الحالية نظرا لسعة. As you already know, when DC is applied to a capacitor, there is an initial surge then the current flow stops. كما تعلمون ، عندما يطبق على العاصمة وجود مكثف هناك طفرة أولية ثم توقف التدفق الحالي. When the gate of an FET is driven with a high frequency signal, the drive circuit essentially sees only a small value capacitor. عند البوابة من FET مدفوعة مع اشارة ذات تردد عال ، وتعتبر في جوهرها حملة دائرة صغيرة فقط قيمة مكثف. For low to intermediate frequencies, the drive circuit has to deliver little current. لالترددات المنخفضة الوسيطة ، وقد دفع الدائرة لتقديم القليل الحالي. At very high frequencies or when many FETs are being driven, the drive circuit must be able to deliver more current. على ترددات عالية جدا أو عندما يجري العديد من FETs يحركها الدافع الدوائر يجب أن تكون قادرة على تقديم المزيد من الحالية.

Note: ملاحظة :
The gate of a MOSFET has some capacitance which means that it will hold a charge (retain voltage). بوابة أ MOSFET بعض مواسعة مما يعني أنه سوف يعقد تهمة (الإبقاء على التيار الكهربائي). If the gate voltage is not discharged, the FET will continue to conduct current. إذا كانت البوابة الجهد والاجتهاد ليست ، FET ستواصل السلوك الحالي. This doesn't mean you can charge it and expect the FET to continue to conduct indefinitely but it will continue to conduct until the voltage on the gate is below the threshold voltage. هذا لا يعني أنه يمكنك أن التهمة ونتوقع FET الاستمرار في إجراء غير مسمى لكنه سيستمر لحين إجراء الجهد على بوابة العتبة الجهد. You can make sure it turns off if you connect a pulldown resistor between the gate and source. يمكنك التأكد من ذلك إذا كنت بأطفاء توصيل pulldown المقاوم بين البوابة والمصدر.

High Current Terminals: الطرفية العالية الحالية :
The 'controlled' terminals are called the source and the drain. 'تسيطر' المحطات دعا المصدر والكفاءات. These are the terminals responsible for conducting the current through the transistor. وهذه هي المسؤولة عن إجراء المحطات الحالية من خلال الترانزستور.

Transistor Packages: الترانزستور الحزم :
The MOSFETs use the same 'packages' as bipolar transistors. فإن استخدام نفس MOSFETs 'الحزم' القطبين الترنزستورات. The most common in car stereo amplifiers is currently the TO-220 package (shown above). الأكثر شيوعا في السيارات ومكبرات ستريو في الوقت الحاضر إلى 220 صفقة (المبين أعلاه).

Transistor In Circuit: الترانزستور في الدائرة :
This diagram shows the voltages across the resistor and the FET with 3 different gate voltages. ويظهر هذا الرسم البياني الفولتية عبر المقاوم وFET مع مختلف 3 البوابة الفولتية. You should see that there is no voltage across the resistor when the gate voltage is around 2.5 volts. عليك أن ترى أنه لا يوجد الجهد المقاوم عندما عبر بوابة الجهد نحو 2.5 فولت. This means that there is no current flowing because the transistor is not turned on. وهذا يعني أنه لا يوجد تدفق الحالية لأن الترانزستور لا تحول. When the transistor is partially turned on, there is a voltage drop (voltage) across both components. عندما تحول الترانزستور جزئيا عن ذلك ، ثمة انخفاض الجهد (الفولت) عبر كل من مكوناتها. When the transistor is fully turned on (gate voltage approx. 4.5 volts), the full supply voltage is across the resistor and there is virtually no voltage drop across the transistor. الترانزستور عندما تحولت تماما عن (بوابة الجهد حوالي 4.5 فولت) ، والعرض الكامل بالفولطية عبر المقاوم ، وهناك في الواقع أي انخفاض الجهد عبر الترانزستور. This means that both terminals (source and drain) of the transistor have essentially the same voltage. وهذا يعني أن كل من المحطات الطرفية (المصدر والكفاءات) من الترانزستور يكون أساسا نفس الجهد. When the transistor is fully turned on, the lower lead of the resistor is effectively connected to ground. عندما الترانزستور تماما وتحول ، من أن

في ما يلي عرض ، يمكنك ان ترى أن ثمة علاقة FET إلى المصباح. When the voltage is below about 3 volts, the lamp is completely off. عندما الجهد يقل عن 3 فولت ، ومصابيح قبالة تماما. There is no current flowing through the lamp or the FET. لا يوجد حاليا تتدفق من خلال مصابيح أو FET. When you push the button, you can see that the capacitor starts to charge (indicated by the rising yellow line and by the point where the capacitor's charging curve intersects with the white line sweeping from left to right. When the FET starts to turn on, the voltage on the drain starts to fall (indicated by the falling green line and the point where the green curve intersects with the white line). As the gate voltage approaches the threshold voltage (~3.5v), the voltage across the lamp starts to increase. The more it increases, the brighter the lamp becomes. After the voltage on the gate reaches about 4 volts, you can see that the bulb is fully on (it has the full 12 volts across its terminals). There is virtually no voltage across the FET. You should notice that the FET is fully off below 3 volts and fully on after 4 volts. Any gate voltage below 3 volts has virtually no effect on the FET. Above 4 volts, there is little effect. عندما تضغط على الزر ، يمكنك أن ترى أن يبدأ مكثف لتوجيه الاتهام) التي أشار إليها ارتفاع الخط الأصفر ، والنقطة التي يتم فيها اتهام مكثف 'sمنحنى يتقاطع مع خط أبيض كاسحة من اليسار إلى اليمين. FET وعندما يبدأ تشغيل ، الجهد على الكفاءات ويبدأ في الانخفاض (يتبين من الخط الاخضر والتي تقع في النقطة التي يتقاطع منحنى الاخضر مع خط أبيض). أما البوابة الجهد تقترب من عتبة الفولطية (~ 3.5v) ، والجهد عبر مصباح يبدأ هذه الزيادة. وكلما كان يزيد ، وتصبح أكثر إشراقا المصباح بعد الجهد على بوابة يبلغ نحو 4 فولت ، يمكنك ان ترى ان مصباح تماما على ما يلي : (وقد الكاملة 12 فولت عبر المحطات). وليس هناك عمليا أي جهد عبر FET. عليك أن تلاحظ أن FET تماما قبالة أقل من 3 فولت وعلى نحو كامل بعد 4 فولت أي أقل من 3 في بوابة الجهد فولت تقريبا اي تأثير على FET فوق 4 فولت ، وهناك أثر يذكر.

شوفتها بس سوري مش عاوزه تتحمل معايا

Design Parameters تصميم البارامترات

GATE VOLTAGE بوابة التيار الكهربائي
As you already know, the FET is controlled by its gate voltage. كما تعلمون ، FET يسيطر عليه بوابتها الجهد. For this type of MOSFET the maximum safe gate voltage is ±20 volts. لهذا النوع من MOSFET أقصى الجهد هو بوابة آمنة ± 20 فولت. If more than 20 volts is applied to the gate (referenced to the source) it will destroy the transistor. إذا كان أكثر من 20 فولت يطبق على البوابة (مع الرجوع إلى المصدر) سيدمر الترانزستور. The transistor will be damaged because the voltage will arc through the insulator that separates the gate from the drain/source part of the FET. فإن الترانزستور سوف تتضرر لأن الجهد سوف قوس خلال عازل يفصل بين بوابة من نزيف / المصدر جزءا من FET.

CURRENT الحالي
As with bipolar transistors, each FET is designed to safely pass a specified amount of current. وكما هو الحال في القطبين الترنزستورات ، FET كل مصمم لتمرير بسلام مبلغ محدد من الحالية. If the temperature of the FET is above 25c (approx. 77 degrees farenheit), the transistor's "safe" current carrying capabilities will be reduced. إذا كانت درجة الحرارة من FET فوق 25c (حوالي 77 درجة farenheit) ، الترانزستور "الآمنة" التي تحمل القدرات الحالية سيتم تخفيض. The safe operating area (SOA) continues to be diminished as the temperature rises. المنطقة الآمنة التشغيل (الخدمية) ما زالت كما قلت أن يكون أي ارتفاع في درجة الحرارة. As the temperature approaches the maximum safe operating temperature, the transistor's current rating approaches zero. حيث درجة الحرارة تقترب من الحد الأقصى لدرجة حرارة التشغيل الآمنة ، الترانزستور الحالي تصنيف تكاد تقترب من الصفر.

VOLTAGE التيار الكهربائي
FETs will be damaged if its specified maximum drain-source voltage is exceeded. FETs سوف تتضرر إذا كان الحد الأقصى المحدد من مصدر استنزاف الجهد هو تجاوز. You can obtain a data sheet from the manufacturer. يمكنك الحصول على بيانات ورقة من الشركة المصنعة. The data sheet will give you all of the information you need to use it. ورقة البيانات سيقدم لكم كل ما تحتاجه من معلومات لاستخدامها.

POWER DISSIPATION تبدد الطاقة
FETs are similar to bipolar transistors as far as packages and power dissipation go, and you can follow this link back to the bipolar page for more information. FETs تشبه القطبين الترنزستورات بقدر الحزم والقوة والتفكك الذهاب ، ويمكنك متابعة هذه الوصلة الى القطبين الصفحة لمزيد من المعلومات. Hit you're "back" button to return. بلغ كنت "العودة" على زر العودة.

موضوع: رد: FET............... الإثنين 27 أبريل 2009, 4:53 pm

شكرا على المعلومات المهم دى
وجزاكى الله كل خير

ارجوا الاستمرار

موضوع: رد: FET............... الإثنين 27 أبريل 2009, 5:31 pm

باذن الله يكون فى استمرااااااااااار
شكرا ليك